WMM043N10HGS Транзистор
| Доставка на склад: | 1 неделя |
|---|---|
| В наличии: | 63 шт. |
| Оптовая цена: | Запросить цену |
Важно!!! Все цены на сайте являются крупнооптовыми и обязательно требуют уточнения!!! Перед заказом обязательно запрашивайте цены с указанием количества. Информация на сайте не является публичной офертой.
Описание и технические параметры
WMM043N10HGS uses Wayon's advanced power trench MOSFET
technology that has been especially tailored to minimize the on-state
resistance and yet maintain superior switching performance. This device
is well suited for high efficiency fast switching applications.
WMM043N10HGS использует передовую технологию power trench MOSFET от
Wayon, которая была специально разработана для минимизации
сопротивления в режиме включения при сохранении превосходной
производительности коммутации. Это устройство хорошо подходит для
высокоэффективных приложений с быстрой коммутацией.
| Технические характеристики | |
|---|---|
| Корпус | TO263 |
| Конфигурация и полярность | N |
| Максимальное напряжение сток-исток | 100 В |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | 145 А |
| Сопротивление открытого канала (мин) | 5 мОм |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min | 5 мОм |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max | 0 Ом |
| Максимальное напряжение затвора | 20 В |
Похожие товары
WMM053NV8HGS
Транзистор
(Транзисторы)
Транзистор
(Транзисторы)
WMM058N12HG2
Транзистор
(Транзисторы)
Транзистор
(Транзисторы)