WMO11N80M3 Транзистор
Доставка на склад: | 1 неделя |
---|---|
В наличии: | 75 шт. |
Оптовая цена: | Запросить цену |
Важно!!! Все цены на сайте являются крупнооптовыми и обязательно требуют уточнения!!! Перед заказом обязательно запрашивайте цены с указанием количества. Информация на сайте не является публичной офертой.
Описание и технические параметры
WMOSTM M3 is Wayon’s 3rd generation 800V super junction MOSFET family that is utilizing charge balance technology for extremely low on-resistance and low gate charge performance. WMOSTM M3 is suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.
WMOSTM M3 - это семейство МОП-транзисторов Wayon 3-го поколения super junction на 800 В, использующее технологию балансировки заряда для обеспечения чрезвычайно низкого сопротивления включения и низкой производительности заряда затвора. WMOSTM M3 подходит для применений, требующих превосходной плотности мощности и выдающейся эффективности.
Технические характеристики | |
---|---|
Корпус | TO252 |
Конфигурация и полярность | N |
Максимальное напряжение сток-исток | 800 В |
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | 10.5 А |
Сопротивление открытого канала (мин) | 800 мОм |
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min | 800 мОм |
Максимальное напряжение затвора | 30 В |
Рассеиваемая мощность | 85 Вт |
Описание:
Транзистор WMO11N80M3.PDF
Размер:53.06 КБ
Документы:
Datasheet WMO11N80M3.pdf
Размер:669.78 КБ
WM01P41M
Транзистор
(Транзисторы)
Транзистор
(Транзисторы)
WMO10N65EM
Транзистор
(Транзисторы)
Транзистор
(Транзисторы)
WMO10N80M3
Транзистор
(Транзисторы)
Транзистор
(Транзисторы)