WML13N65EM Транзистор
Доставка на склад: | 1 неделя |
---|---|
В наличии: | 87 шт. |
Оптовая цена: | Запросить цену |

Описание и технические параметры
WMOSTM EM is Wayon’s 3rd generation super junction MOSFET family that is utilizing charge balance technology for extremely low on-resistance and low gate charge performance. WMOSTM EM is suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.
WMOSTM EM - это семейство МОП-транзисторов Wayon 3-го поколения super junction, использующее технологию баланса заряда для обеспечения чрезвычайно низкого входного сопротивления и низкой производительности заряда затвора. WMOSTM EM подходит для применений, требующих превосходной плотности мощности и выдающейся эффективности.
Технические характеристики | |
---|---|
Корпус | TO220F |
Конфигурация и полярность | N |
Максимальное напряжение сток-исток | 650 В |
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | 11 А |
Сопротивление открытого канала (мин) | 390 мОм |
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min | 390 мОм |
Максимальное напряжение затвора | 30 В |
Рассеиваемая мощность | 31 Вт |
Описание:
Транзистор WML13N65EM.PDF
Размер:54.94 КБ
Документы:
Datasheet WML13N65EM.pdf
Размер:664.42 КБ

WML025N06HG2
Транзистор
(Транзисторы)
Транзистор
(Транзисторы)

WML10N65EM
Транзистор
(Транзисторы)
Транзистор
(Транзисторы)

WML10N70C4
Транзистор
(Транзисторы)
Транзистор
(Транзисторы)