WMO10N65EM Транзистор
| Доставка на склад: | 1 неделя |
|---|---|
| В наличии: | 61 шт. |
| Оптовая цена: | Запросить цену |
Важно!!! Все цены на сайте являются крупнооптовыми и обязательно требуют уточнения!!! Перед заказом обязательно запрашивайте цены с указанием реквизитов организации и количества. Информация на сайте не является публичной офертой.
Описание и технические параметры
WMOSTM EM is Wayon’s 3rd generation super junction MOSFET family that is utilizing charge balance technology for extremely low on-resistance and low gate charge performance. WMOSTM EM is suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.
WMOSTM EM - это семейство МОП-транзисторов Wayon 3-го поколения super junction, использующее технологию баланса заряда для обеспечения чрезвычайно низкого входного сопротивления и низкой производительности заряда затвора. WMOSTM EM подходит для применений, требующих превосходной плотности мощности и выдающейся эффективности.
| Технические характеристики | |
|---|---|
| Корпус | TO252 |
| Конфигурация и полярность | N |
| Максимальное напряжение сток-исток | 650 В |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | 8 А |
| Сопротивление открытого канала (мин) | 600 мОм |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min | 600 мОм |
| Максимальное напряжение затвора | 30 В |
| Рассеиваемая мощность | 63 Вт |
Описание:
Транзистор WMO10N65EM.PDF
Размер:53.05 КБ
Документы:
Datasheet WMO10N65EM.pdf
Размер:653.67 КБ
WM01P41M
Транзистор
(Транзисторы)
Транзистор
(Транзисторы)
WMO10N80M3
Транзистор
(Транзисторы)
Транзистор
(Транзисторы)
WMO11N65SR
Транзистор
(Транзисторы)
Транзистор
(Транзисторы)