Транзистор 2Т364В-2 кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный, применяется в переключающих устройствах герметизированной аппаратуры. Бескорпусный на кристаллодержателе с гибкими выводами и защитным покрытием. Выпускается в индивидуальной сопроводительной таре. Тип прибора указывается на сопроводительной таре. Масса не более 0,006 г.
Технические характеристики транзистора кремниевого эпитаксиально-планарного переключательного 2Т364В-2:
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт – 150
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером, не менее, МГц – 250
Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера, В – 25
Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора, В – 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, мА –200
Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера, не более, мкА – 1
Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала – от 80 до 240
Емкость коллекторного перехода, не более, пФ – 15
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером, не более, Ом – 30
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, не более, пс – 500
Цена зависит от количества, поэтому запрашивайте цены с указанием количества
