2Т201Г Транзистор

Транзистор 2Т201Г кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-р-n усилительный с ненормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц, применяется в усилителях низкой частоты. Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип транзистора в металлическом корпусе указывается на боковой поверхности корпуса. Масса не более 0,6 г. Тип корпуса: КТ-1-7.

Технические характеристики транзистора кремниевого эпитаксиально-планарного усилительного 2Т201Г:
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт –150
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером, не менее, МГц – 10
Максимальное напряжение коллектор-база, В – 10
Максимальное напряжение эмиттер-база, В – 10
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, мА – 20
Обратный ток коллектора, не более, мкА – 0,5
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером – от 70 до 210
Емкость коллекторного перехода, не более, пФ – 20