3А531А-6 Диод

Диод 3А531А-6 арсенид-галлиевый, планарно-эпитаксиальный, с барьером Шоттки, переключательный, применяется в переключающих устройствах, сантиметрового диапазонов длин волн в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления. Выпускается в бескорпусном исполнении с жесткими выводами. Тип диода приводится на полиэтиленцеллофановой ленте. Маркируется синей точкой на основании положительной площадки и голубой точкой у основания другой контактной площадки, обозначая тип диода. Масса диода не более 0,01 г.

Технические характеристики диода арсенид-галлиевого планарно-эпитаксиального переключательного 3А531А-6:
Критическая частота переключения диода, ГГц – 120
Общая емкость диода, пФ – 0,3
Прямое сопротивление потерь, Ом – 30
Накопленный заряд диода, нКл – 3
Пробивное напряжение, В – 12
Индуктивность диода, нГн – 2
Постоянное обратное напряжение, В – 10
Постоянный прямой ток, мА – 30
Постоянная рассеиваемая мощность, мВт – 50
Импульсная рассеиваемая мощность, мВт – 100
Значение допустимого статического потенциала, В – 100
Температура окружающей среды, °С – от -60 до +120
Минимальная наработка, ч – 25000
Срок сохраняемости, лет – 25