2А517Б-2 Диод

Диод 2А517Б-2 кремниевый, эпитаксиальный, переключательный. Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа n-i-p. Предназначен для применения в переключающих устройствах, модуляторах, аттенюаторах сантиметрового диапазонов длин волн в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления. Выпускается в бескорпусном исполнении с гибкими выводами. Тип диода приводится на этикетке. Положительный электрод имеет гибкий вывод. Масса диода не более 0,0016 г.

Технические характеристики диода кремниевого эпитаксиального переключательного 2А517Б-2:
Критическая частота переключения диода, ГГц – 75
Непрерывная рассеиваемая мощность, Вт – 0,5
Постоянный прямой ток, мА – 100
Постоянное обратное напряжение, В – 150
Пробивное напряжение, В – 300
Накопленный заряд диода, нКл – 5
Прямое сопротивление потерь, Ом – 5
Общая емкость диода, пФ – 0,3
Температура окружающей среды, °С – от -60 до +125
Минимальная наработка, ч – 5000
Срок сохраняемости, лет – 25