3А112АР3

Диод

Фотография отсутствует
Наличие на складе: В наличии
Остаток на складе: 30 шт.
Цена: Запросить цену

i Цена зависит от количества, поэтому запрашивайте цены с указанием количества

Добавить в корзину


Описание и технические параметры

Диод 3А112АР арсенид-галлиевый, планарно-эпитаксиальный, с барьером Шоттки, смесительный, применяется в преобразователях частоты сантиметрового диапазона длин волн в составе гибридных интегральных микросхем и микросборок, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления. Выпускается в стеклянном корпусе с жесткими выводами типа КД-1-3 подобранным в пары (3А112АР, 3А112АГ) и четверки (АА112АР, АА112АГ). Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на индивидуальной таре. Отрицательный вывод диода - со стороны кристалла. Масса диода не более 0,035 г

Технические характеристики диода арсенид-галлиевого планарно-эпитаксиального смесительного 3А112АР:
Потери преобразования, дБ – 7,5
Выпрямленный ток, мА – от 1 до 2,5
Выходное шумовое отношение – 1,6
Нормированный коэффициент шума, дБ – 6,5
Коэффициент стоячей волны по напряжению – 1,8
Выходное сопротивление, Ом – от 300 до 550
Непрерывная рассеиваемая мощность, мВт – 20
Импульсная падающая мощность, мВт – 150
Значение допустимого статического потенциала, В – 200
Температура окружающей среды, °С – от -60 до +100
Минимальная наработка, ч – 25000 ч;
Срок сохраняемости, лет – 25 лет

Описание:

Диод 3А112АР3.PDF Размер:61.1 КБ
Фотография отсутствует
3А112А
Диод
(Диоды,тиристоры)
Фотография отсутствует
3А112А3
Диод
(Диоды,тиристоры)
Фотография отсутствует
3А112АР7
Диод
(Диоды,тиристоры)