2А518А-4 Диод

Диод 2А518А-4 кремниевый, диффузионный, переключательный. Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа p-i-n. Предназначен для применения в переключающих устройствах, дециметрового и сантиметрового диапазонов длин волн в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления. Выпускается в бескорпусном исполнении с жесткими выводами на кристаллодержателе. Тип диода приводится на таре. Отрицательный электрод на кристаллодержателе. Масса диода не более 0,4 г.

Технические характеристики диода кремниевого диффузионного переключательного 2А518А-4:
Критическая частота переключения диоде, ГГц – 90
Постоянный прямой ток, мА – 500
Постоянное обратное напряжение, В – 200
Пробивное напряжение, В – 400
Накопленный заряд диода, нКл – 200
Прямое сопротивление потерь, Ом – 2
Общая емкость диода, пФ – 0,8
Температура окружающей среды, °С – от -60 до +85
Минимальная наработка, ч – 25000
Срок сохраняемости, лет – 25