3А722А Диод
Наличие на складе: | В наличии |
---|---|
Остаток на складе: | 22 шт. |
Оптовая цена: | Запросить цену |
Описание и технические параметры
Диод 3А722А арсенид-галлиевый, мезаэпитаксиальный, на эффекте Ганна, генераторный, применяется в широкополосных генераторах сантиметрового диапазона длин волн. Бескорпусный диод предназначен для применения в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления. Выпускается в металлокерамическом корпусе типа КД-109 с жесткими выводами и в бескорпусном исполнении в виде кристалла с гибкими выводами на кристаллодержателе. Тип диода приводится на групповой таре. На ярлыке, вкладываемом в групповую тару, указывается рабочее напряжение индивидуальное для каждого диода. Масса диода не более 0,15 г.
Технические характеристики диода арсенид-галлиевого мезаэпитаксиального 3А722А:
Рабочий диапазон частот СВЧ диода, ГГц – от 5,6 до 8,24
Минимальная непрерывная выходная СВЧ мощность, мВт – от 10,0 до 15,0
Рабочее напряжение диода, В – от 8,0 до 12,0
Постоянный рабочий ток диода, мА – <370
Сопротивление СВЧ диода, Ом – от 3,0 до 15,0
Емкость корпуса, пФ – <0,45
Индуктивность СВЧ диода, нГн – <0,25
Рассеиваемая мощность СВЧ диода, Вт – 6,5
Значение допустимого статического потенциала, В – 1000
Температура корпуса СВЧ диода, °С – +85
Диапазон рабочей температуры окружающей среды, °С – от -60 до +70
Описание:
Диод
(Диоды,тиристоры)