КД907Б-1 Диод
| Доставка на склад: | 1 неделя |
|---|---|
| В наличии: | 76 шт. |
| Оптовая цена: | Запросить цену |
Важно!!! Все цены на сайте являются крупнооптовыми и обязательно требуют уточнения!!! Перед заказом обязательно запрашивайте цены с указанием реквизитов организации и количества. Информация на сайте не является публичной офертой.
Описание и технические параметры
Диодная матрица КД907Б-1 кремниевая эпитаксиально-планарная импульсная бескорпусная полупроводниковая с гибкими выводами без кристаллодержателя, применяется в составе гибридных интегральных микросхем. Масса матрицы 5 мг.
Технические характеристики диодной матрицы кремниевой эпитаксиально-планарной импульсной бескорпусной полупроводниковой КД907Б-1:
Максимальное постоянное обратное напряжение, В – 40
Максимальный прямой ток, мА – 50
Постоянное прямое напряжение, не более, В – 1,0
Постоянный обратный ток: не более, мкА – 5
Общая емкость, пФ – 5
Описание:
Диод КД907Б-1.PDF
Размер:54.42 КБ
2Д202К
Диод
(Диоды,тиристоры)
Диод
(Диоды,тиристоры)
3И306К
Диод
(Диоды,тиристоры)
Диод
(Диоды,тиристоры)
Д237К
Диод
(Диоды,тиристоры)
Диод
(Диоды,тиристоры)