КД918Г

Диод

КД918Г
КД918Г
Наличие на складе: В наличии
Остаток на складе: 60 шт.
Цена: Запросить цену

i Цена зависит от количества, поэтому запрашивайте цены с указанием количества

Добавить в корзину


Описание и технические параметры

Диодная матрица КД918Г-1 кремниевая эпитаксиально-планарная импульсная полупроводниковая, предназначена для применения в неремонтируемых гибридных схемах, блоках и аппаратуре, обеспечивающей герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибков, инея и росы, пониженного и повышенного давления. Состоит из четырех кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов, с общим анодом. Бескорпусная, с гибкими выводами. Тип прибора и знак полярности приводятся на индивидуальной таре. Масса матрицы не более 5 г.

Технические характеристики диодной матрицы кремниевой эпитаксиально-планарной импульсной попупроводниковой КД918Г-1:
Максимальное постоянное обратное напряжение, В – 40
Максимальное импульсное обратное напряжение, В – 60
Максимальный (средний) прямой ток, мА – 50
Максимальный импульсный прямой ток, мА – 700
Постоянное прямое напряжение на диоде, В/мА – 1/50
Обратный ток диода, мкА – 6
Максимальная рабочая частота диода, МГц – 10
Время обратного восстановления, нс – 4
Общая емкость диода, пФ – 6
Температура окружающей среды, °C – от -60 до +85

Описание:

Диод КД918Г.PDF Размер:106 КБ