WMB060N10LGS Транзистор
Доставка на склад: | 1 неделя |
---|---|
В наличии: | 94 шт. |
Оптовая цена: | Запросить цену |
Важно!!! Все цены на сайте являются крупнооптовыми и обязательно требуют уточнения!!! Перед заказом обязательно запрашивайте цены с указанием количества. Информация на сайте не является публичной офертой.
Описание и технические параметры
WMB060N10LGS uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET
technology that has been especially tailored to minimize the on-state
resistance and yet maintain superior switching performance. This device
is well suited for high efficiency fast switching applications.
В WMB060N10LGS используется технология Wayon 2-го поколения power
trench MOSFET, которая была специально разработана для минимизации
сопротивления в режиме включения при сохранении превосходной
производительности коммутации. Это устройство хорошо подходит для
высокоэффективных приложений с быстрой коммутацией.
Технические характеристики | |
---|---|
Корпус | PDFN8L5X6 |
Конфигурация и полярность | N |
Максимальное напряжение сток-исток | 100 В |
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | 95 А |
Сопротивление открытого канала (мин) | 6 мОм |
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min | 6 мОм |
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max | 9 мОм |
Максимальное напряжение затвора | 20 В |
Описание:
Транзистор WMB060N10LGS.PDF
Размер:52.99 КБ
Документы:
Datasheet WMB060N10LGS.pdf
Размер:483.44 КБ
WMB023N03LG2
Транзистор
(Транзисторы)
Транзистор
(Транзисторы)
WMB025N06HG2
Транзистор
(Транзисторы)
Транзистор
(Транзисторы)
WMB025N06LG2
Транзистор
(Транзисторы)
Транзистор
(Транзисторы)