WMQ048NV6LG2 Транзистор
| Доставка на склад: | 1 неделя |
|---|---|
| В наличии: | 90 шт. |
| Оптовая цена: | Запросить цену |
Важно!!! Все цены на сайте являются крупнооптовыми и обязательно требуют уточнения!!! Перед заказом обязательно запрашивайте цены с указанием количества. Информация на сайте не является публичной офертой.
Описание и технические параметры
WMQ048NV6LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications.
WMQ048NV6LG2 использует технологию Wayon 2-го поколения power trench MOSFET, которая была специально разработана для минимизации сопротивления во включенном состоянии при сохранении превосходной производительности коммутации. Это устройство хорошо подходит для высокоэффективных систем быстрого переключения.
| Технические характеристики | |
|---|---|
| Корпус | PDFN8L3X3 |
| Конфигурация и полярность | N |
| Максимальное напряжение сток-исток | 65 В |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | 60 А |
| Сопротивление открытого канала (мин) | 5.6 мОм |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min | 5.6 мОм |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max | 7.6 мОм |
| Максимальное напряжение затвора | 20 В |
Описание:
Транзистор WMQ048NV6LG2.PDF
Размер:52.98 КБ
Документы:
Datasheet WMQ048NV6LG2.pdf
Размер:496.67 КБ
Похожие товары
WMQ023N03LG2
Транзистор
(Транзисторы)
Транзистор
(Транзисторы)
WMQ090NV6LG2
Транзистор
(Транзисторы)
Транзистор
(Транзисторы)